基本介绍
基于SigOFIT技术的光隔离探头，拥有极高的共模抑制比和隔离电压，在其带宽范围内洞见信号的全部真相，是判定其他电压探头所测信号真实性的裁判。此外，SigOFIT光隔离探头采用先进的激光供电技术，完美解决了隔离供电的问题。
应用领域
1.电源设备评估、电流并联测量、EMI 和 ESD 故障排除
2.电机驱动设计、功率转换器设计 、电子镇流器设计
3.氮化镓、碳化硅、IGBT 半 / 全桥设备的设计与分析
4.高压高带宽测试应用的安全隔离测试
5.逆变器、UPS 及开关电源的测试
6.宽电压、宽带测试应用各种浮地测试
真实的信号呈现
SigOFIT光隔离探头具有极高的共模抑制比，在 100MHz 时 CMRR 高达 112dB、在 500MHz 时 CMRR 仍然高达 100dB，是判定其他电压探头所测信号真实性的裁判。
第三代半导体的理想测试手段
第三代半导体器件由于导通与关断时间很短，信号具有更快的上升沿和下降沿，信号中具有很高能量的高频谐波，SigOFIT 光隔离探头在高带宽时，仍然具有近 100dB 的共模抑制比，可以近乎完美地抑制高频共模噪声所产生的震荡，所呈现的信号没有额外多余成分，是第三代半导体测试的不二之选。
极高的测试
作为判定其他电压探头所测信号真实性的裁判，测试是 SigOFIT 光隔离探头的重要指标。SigOFIT光隔离探头，具有较佳的幅频特性，直流增益优于1%，全量程范围内1.41mVrms 底噪，预热后零点漂移小于 500μV。
测试氮化镓（GaN）不炸管
SigOFIT 光隔离探头测试引线短且采用同轴传输，探头输入电容 小于 3pF，测试氮化镓（GaN）十分安全，不同于高压差分探头只可以测试高压信号，SigOFIT 光隔离探头 通过匹配不同的衰减器，可以测试 ±1.25V 至 ±2500V 的差模信号， 并实现满量程输出，达到很高的信噪比。
产品参数
